北京頓思集成電路設計有限責任公司從事射頻功率器件的設計、研發(fā)、測試和銷售。以頓思的前沿技術和人才優(yōu)勢，采用先進的集成電路、功率器件設計軟硬件，依托國際先進的BCD工藝線，成功設計了多個系列高可靠性RF-MOSFET功率器件。

頓思公司的射頻功率晶體管，主要應用于射頻移動通信基站、射頻廣播、移動無線電、射頻能源以及工業(yè)、科研、醫(yī)療等眾多具有戰(zhàn)略重要性的行業(yè)領域。公司在器件設計、芯片制造、芯片封裝、芯片測試等一整條產(chǎn)品供應鏈上達成百分之百的國產(chǎn)化，使得產(chǎn)品具備技術可控、成本更低、周期更短和供貨更穩(wěn)定的優(yōu)勢。

頓思公司的主要產(chǎn)品包括射頻功率LDMOS器件、定制化功率MOS器件及其配套的50歐系統(tǒng)解決方案。頓思重點關注射頻應用領域產(chǎn)品，應用頻率覆蓋DC~4GHz，輸出功率等級覆蓋0.1W~500W，供電電壓3.7V~380V；擁有塑料封裝、金屬封裝等適應各類應用需求的標準封裝和定制化封裝外形；有單管、合封模組等各種應用方案。團隊成員有十年以上相關行業(yè)設計、應用經(jīng)驗，可以為客戶提供各類解決方案。頓思致力成為RF功率器件專業(yè)研發(fā)者，專業(yè)品質，您的信賴源泉，期待與您的合作。

頓思：卓越思維，讓溝通更有效！

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